Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ      e
Общая информация о журнале
Золотые страницы
Адреса редакции
Содержание журнала
Сообщения редакции
Правила для авторов
Загрузить статью
Проверить статус статьи


Готовится к печати
Том 158 , Вып. 2 , стр. 357

Атомные модели поверхностей Si(110)-5\times 8 и Ge(110)-c(10\times 8)
Жачук Р.А.

Поступила в редакцию: 13 Января 2020

DOI: 10.31857/S0044451020080131

PDF (4.3M)

Рассмотрены атомные модели поверхностей Si(110)-5\times 8 и Ge(110)-c(10\times 8), построенные на основе универсального структурного блока семейства поверхностей Si(110) и Ge(110), предложенного ранее в работе [e20087-33]. С помощью расчетов ab initio показано, что данные модели демонстрируют значительно более низкую энергию, чем все модели структур 5\times 8 и c(10\times 8), предложенные ранее, и в деталях согласуются с экспериментальными изображениями сканирующей туннельной микроскопии этих поверхностей. Показано, что зигзагообразные атомные цепочки в структурах 5\times 8 и c(10\times 8) должны динамически изгибаться при комнатной и более высоких температурах, что может объяснить природу обратимых структурных переходов 16\times 2\leftrightarrow 5\times 8 и 16\times 2\leftrightarrow c(10\times 8) на поверхностях Si(110) и Ge(110).

 
Сообщить о технических проблемах