Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 153, No. 1, p. 294 (January 2018)
(English translation - JETP, Vol. 126, No. 1, p. 246, January 2018 available online at www.springer.com )

Универсальная частотная зависимость прыжковой ac-проводимости в структурах p-Ge/GeSi в режиме целочисленного квантового эффекта Холла
Дричко И.Л., Дмитриев А.А., Малыш В.А., Смирнов И.Ю., Гальперин Ю.М., H.von Kanel, Kummar M., Isella G., Chrastina D.

Received: September 6, 2017

DOI: 10.7868/S0044451018020116

PDF (349.5K)

С помощью комбинации акустических и микроволновых методов измерена прыжковая ac-проводимость, реализующаяся в минимумах поперечного кондактанса в режиме целочисленного эффекта Холла. Измерения выполнены в структурах с квантовыми ямами p-GeSi/Ge/GeSi в широком диапазоне частот (30-1200 МГц). Экспериментально измеренные частотные зависимости действительной части ac-кондактанса σ 1 интерпретированы на основе модели, предполагающей прыжки между локализованными электронными состояниями, принадлежащими изолированным кластерам. При больших частотах доминирующие кластеры являются парами близких состояний; при уменьшении частоты становятся важными большие кластеры, которые при стремлении частоты к нулю сливаются в бесконечный перколяционный кластер. При этом частотные зависимости ac-проводимости могут быть представлены в виде одной универсальной кривой. Определены параметры скейлинга и их зависимость от магнитного поля.

 
Report problems