Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


Forthcoming article
ZhETF, Vol. 153 , No. 4 , p. 649

Влияние ультратонких пленок Pb на поверхностные топологические и квантово-размерные состояния топологических изоляторов Bi2Se3 и Sb2Te3
Сурнин Ю.А., Климовских И.И., Состина Д.М., Кох К.А., Терещенко О.Е., Шикин А.М.

Received: December 18, 2017

DOI: 10.7868/S0044451018040119

PDF (939.5K)

Методом фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением экспериментально изучено влияние ультратонкой пленки Pb на поверхности соединений Bi2Se3 и Sb2Te3 на структуру электронных состояний топологических изоляторов. Выявлено наличие следующих особенностей: формирование двумерных состояний квантовой ямы в приповерхностной области, возрастание энергии связи дираковского конуса и внутренних уровней и одновременное перераспределение интенсивности электронных состояний системы в фотоэлектронных спектрах. Полученные результаты свидетельствуют о том, что топологические состояния имеют возможность существовать на границе раздела изучаемых материалов со сверхпроводником, что представляется перспективным для применения в квантовых компьютерах.

 
Report problems